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外延
1.多尺寸：2”，3”，4”，6”
2.材料丰富：涵盖GaAs、InP材料体系，可进行二元、三元、四元乃至五元材料的外延生长
3.不同结构：边发射、垂直腔面激光器等
4.丰富的表征手段：如HRXRD，EL，PL，ECV，SEM，ELLIPSOMETRY等
掌握外延关键技术：
1.材料生长工艺优化
2.界面陡峭度
3.掺杂浓度控制
4.外延缺陷控制
代表性参数/设备：
1、外延片尺寸：2-6 inch
2、XRD曲线
3、量子阱PL
